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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AD |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 110 A | 断态重复峰值电压： | 720 V |
| 重复峰值反向电压： | 720 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1801M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N1801MPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
|
| 2N1801PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| 2N1802 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1802 | NJSEMI |
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T7A/T7B |
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| 2N1802E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| 2N1802MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
|
| 2N1803 | NJSEMI |
获取价格 |
T7A/T7B |
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| 2N1803 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 2N1803E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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