2N1803

更新时间： 2024-10-28 22:35:47

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美高森美 - MICROSEMI		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

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2N1803 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-83
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JEDEC-95代码：	TO-208AD
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	2.7 mA	通态非重复峰值电流：	1000 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	70000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	110 A	断态重复峰值电压：	900 V
重复峰值反向电压：	900 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N1803E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
2N1803M	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Elem
2N1803MPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-208AD
2N1803PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
2N1804	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
2N1804	NJSEMI	获取价格	T7A/T7B
2N1804E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208A
2N1804M	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El
2N1804MPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208A
2N1805	POWEREX	获取价格	Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts