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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1711A | NJSEMI | Diode TP-39 |
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| 2N1711A | CENTRAL | Transistor, |
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| 2N1711A | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N1711B | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N1711B | CENTRAL | 50V,500mA,.8W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw |
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| 2N1711DWP | ZETEX | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH, G9, DIE-2 |
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