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28LV010RPFI-25

更新时间: 2024-01-07 14:02:20
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麦斯威 - MAXWELL 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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20页 364K
描述
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

28LV010RPFI-25 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DFP
包装说明:DFP, FL32,.4针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.15
Is Samacsys:N最长访问时间:250 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-XDFP-F32长度:20.828 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装等效代码:FL32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
页面大小:128 words并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:3.7338 mm最大待机电流:0.00002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
总剂量:100k Rad(Si) V宽度:12.192 mm
最长写入周期时间 (tWC):15 msBase Number Matches:1

28LV010RPFI-25 数据手册

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28LV010  
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM  
TABLE 8. 28LV010 AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR ERASE AND WRITE OPERATIONS  
(VCC = 3.3V ± 10%, TA =-55 TO +125 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SUBGROUPS  
MIN  
MAX  
UNIT  
Byte Load Cycle  
tBLC  
9, 10, 11  
µs  
-200  
-250  
1
1
30  
30  
Data Latch Time2  
-200  
-250  
tDL  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
ns  
µs  
ns  
ns  
µs  
µs  
700  
750  
-
-
Byte Load Window 2  
-200  
-250  
tBL  
100  
100  
--  
--  
Time to Device Busy  
-200  
-250  
tDB  
tDW  
tRP  
100  
120  
--  
--  
Write Start Time  
-200  
-250  
150  
250  
--  
--  
RES to Write Setup Time2  
-200  
-250  
100  
100  
--  
--  
V
CC to RES Setup Time 2  
tRES  
-200  
-250  
1
1
--  
--  
1. tWC must be longer than this value unless polling techniques or RDY/BSY are used. This device automatically completes the  
internal write operation within this value.  
2. Guaranteed by design.  
1,2  
TABLE 9. 28LV010 MODE SELECTION  
MODE  
CE  
OE  
WE  
RES  
RDY/BUSY  
I/O  
Read  
V
V
V
V
High-Z  
High-Z  
DOUT  
IL  
IL  
IH  
H
Standby  
Write  
V
X
X
X
High-Z  
IH  
V
V
V
V
High-Z --> V  
D
IL  
IH  
IL  
H
OL  
IN  
Deselect  
Write Inhibit  
V
V
V
V
High-Z  
High-Z  
IL  
IH  
IH  
H
X
X
X
V
X
X
--  
--  
--  
--  
IH  
V
X
IL  
Data Polling  
Program  
V
V
V
V
V
Data Out (I/O7)  
High-Z  
IL  
IL  
IH  
H
OL  
X
X
X
V
High-Z  
IL  
1. X = Don’t care.  
2. Refer to the recommended DC operating conditions.  
03.14.03 REV 6  
All data sheets are subject to change without notice  
6
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