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28LV010RPDE-25

更新时间： 2024-01-21 13:10:44
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麦斯威 - MAXWELL 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
20页 364K
描述
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28LV010RPDE-25 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.22
最长访问时间：250 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-XDIP-T32
长度：40.64 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE页面大小：128 words
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：5.715 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：YES总剂量：100k Rad(Si) V
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：15 ms
Base Number Matches：1

28LV010RPDE-25 数据手册

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28LV010  
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM  
TABLE 8. 28LV010 AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR ERASE AND WRITE OPERATIONS  
(VCC = 3.3V ± 10%, TA =-55 TO +125 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SUBGROUPS  
MIN  
MAX  
UNIT  
Byte Load Cycle  
tBLC  
9, 10, 11  
µs  
-200  
-250  
1
1
30  
30  
Data Latch Time2  
-200  
-250  
tDL  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
ns  
µs  
ns  
ns  
µs  
µs  
700  
750  
-
-
Byte Load Window 2  
-200  
-250  
tBL  
100  
100  
--  
--  
Time to Device Busy  
-200  
-250  
tDB  
tDW  
tRP  
100  
120  
--  
--  
Write Start Time  
-200  
-250  
150  
250  
--  
--  
RES to Write Setup Time2  
-200  
-250  
100  
100  
--  
--  
V
CC to RES Setup Time 2  
tRES  
-200  
-250  
1
1
--  
--  
1. tWC must be longer than this value unless polling techniques or RDY/BSY are used. This device automatically completes the  
internal write operation within this value.  
2. Guaranteed by design.  
1,2  
TABLE 9. 28LV010 MODE SELECTION  
MODE  
CE  
OE  
WE  
RES  
RDY/BUSY  
I/O  
Read  
V
V
V
V
High-Z  
High-Z  
DOUT  
IL  
IL  
IH  
H
Standby  
Write  
V
X
X
X
High-Z  
IH  
V
V
V
V
High-Z --> V  
D
IL  
IH  
IL  
H
OL  
IN  
Deselect  
Write Inhibit  
V
V
V
V
High-Z  
High-Z  
IL  
IH  
IH  
H
X
X
X
V
X
X
--  
--  
--  
--  
IH  
V
X
IL  
Data Polling  
Program  
V
V
V
V
V
Data Out (I/O7)  
High-Z  
IL  
IL  
IH  
H
OL  
X
X
X
V
High-Z  
IL  
1. X = Don’t care.  
2. Refer to the recommended DC operating conditions.  
03.14.03 REV 6  
All data sheets are subject to change without notice  
6
©2001 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  
1...3456789...20

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