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27C64-25SO

更新时间： 2024-02-24 03:29:07

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	127K
描述
64K (8K x 8) CMOS EPROM

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27C64-25SO 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	8 X 13.40 MM, TSOP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSSOP28/32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

27C64-25SO 数据手册

27C64

FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS (1)

TABLE 1-6:

MODES

Operation Mode

PGM

VPP

O0 - O7

Read

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VCC

DOUT

DIN

Program

Program Verify

Program Inhibit

Standby

DOUT

High Z

VCC

High Z

Output Disable

Identity

VIH

VIL

VIH

High Z

Identity Code

X = Don’t Care

For Read operations, if the addresses are stable, the

address access time (tACC) is equal to the delay from

CE to output (tCE). Data is transferred to the output

after a delay from the falling edge of OE (tOE).

1.2

Read Mode

(See Timing Diagrams and AC Characteristics)

Read Mode is accessed when

a) the CE pin is low to power up (enable) the chip

b) the OE pin is low to gate the data to the output

pins

2004 Microchip Technology Inc.

DS11107M-page 5

1 2 3 456 7 8...10

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