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27C512A-12VS

更新时间: 2024-01-16 16:31:42
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 73K
描述
512K (64K x 8) CMOS EPROM

27C512A-12VS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.64最长访问时间:120 ns
其他特性:DATA RETENTION >200 YEARSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP28/32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00003 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

27C512A-12VS 数据手册

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27C512A  
TABLE 1-3:  
READ OPERATION AC CHARACTERISTICS  
AC Testing Waveform:  
Output Load:  
VIH = 2.4V and VIL = .45V; VOH = 2.0V and VOL = 0.8V  
1 TTL Load + 100 pF  
Input Rise and Fall Times: 10 ns  
Ambient Temperature:  
Commercial:  
Tamb = 0˚C to +70˚C  
Industrial:  
Extended (Automotive):  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
Tamb = -40˚C to +125˚C  
27C512-90*  
Sym  
27C512-10*  
27C512-12  
27C512-15  
Parameter  
Units Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Address to Output  
Delay  
tACC  
tCE  
90  
100  
120  
150  
ns  
ns  
CE = OE/  
VPP = VIL  
CE to Output Delay  
90  
100  
120  
150  
OE/VPP =  
VIL  
OE to Output Delay  
tOE  
0
40  
35  
0
40  
35  
0
50  
40  
0
60  
45  
ns  
ns  
CE = VIL  
OE to Output High  
Impedance  
tOFF  
Output Hold from  
Address, CE or OE/  
VPP, whichever  
occurred first  
tOH  
0
0
0
0
ns  
*90/10 AC Testing Waveforms: VIH = 3.0V and VIL = 0V; VOH = 1.5V and VOL = 1.5V  
Output Load: 1 TTL Load + 30 pF  
FIGURE 1-1: READ WAVEFORMS  
VIH  
Address Valid  
Address  
CE  
VIL  
VIH  
VIL  
tCE(2)  
VIH  
VIL  
OE  
tOFF(1,3)  
tOH  
tOE(2)  
VOH  
VOL  
Outputs  
O0 - O7  
High Z  
High Z  
Valid Output  
tACC  
Notes: (1) tOFF is specified for OE or CE, whichever occurs first  
(2) OE may be delayed up to tCE - tOE after the falling edge of CE without impact on tCE  
(3) This parameter is sampled and is not 100% tested.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11173E-page 3  

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27C512A15D PHILIPS OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CDSO28,

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