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27C128-12E/SO

更新时间： 2024-01-31 00:34:50

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	65K
描述
x8 EPROM

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27C128-12E/SO 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	8 X 13.40 MM, TSOP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSSOP28/32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

27C128-12E/SO 数据手册

27C128

FIGURE 1-3: PROGRAMMING EXPRESS ALGORITHM

Conditions:

Tamb = 25˚C ±5˚C

VCC = 6.5 ±0.25V

VPP = 13.0 ±0.25V

Start

ADDR = First Location

VCC = 6.5V

VPP = 13.0V

X = 0

Program one 100 µs pulse

Increment X

Verify

Byte

Pass

Fail

Yes

Device

Failed

X = 10 ?

Last

Address?

Yes

Increment Address

VCC = VPP = 4.5V, 5.5V

All

Yes

bytes

= original

data?

Device

Passed

Device

Failed

1996 Microchip Technology Inc.

DS11003K-page 7

1...4 5 678 9 10...12

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与27C128-12E/SO相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
27C128-12E/TS	MICROCHIP	16K X 8 OTPROM, 120 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28	获取价格
27C128-12I/J	MICROCHIP	16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	获取价格
27C128-12I/K	ETC	x8 EPROM	获取价格
27C128-12I/L	MICROCHIP	x8 EPROM	获取价格
27C128-12I/P	MICROCHIP	x8 EPROM	获取价格
27C128-12I/SO	MICROCHIP	x8 EPROM	获取价格