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25AA1024TI/SM

更新时间： 2024-01-23 15:42:00

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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34页	537K
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1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8

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25AA1024TI/SM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.34	最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	5.26 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.03 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	5.23 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	6 ms
Base Number Matches：	1

25AA1024TI/SM 数据手册

25AA1024

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)

Industrial (I)*:

Industrial (I):

TA = 0°C to +85°C

TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.0V to 5.5V

AC CHARACTERISTICS

*Limited industrial temp range.

Param.

Sym.

No.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Conditions

TDIS

Output disable time

—

250

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

(Note 1)

THS

THH

THZ

HOLD setup time

HOLD hold time

100

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

100

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

HOLD low to output

High-Z

150

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 4.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

(Note 1)

THV

HOLD high to output valid

CS High to Standby mode

150

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 4.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

TREL

TPD

—

100

s

VCC = 1.8V to 5.5V

CS High to Deep power-

down

TCE

TSE

TWC

Chip erase cycle time

Sector erase cycle time

Internal write cycle time

—

VCC = 1.8V to 5.5V

Byte or Page mode and Page

Erase

—

Endurance

—

E/W Page mode, 25°C, 5.5V (Note 2)

Cycles

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

2: This parameter is not tested but established by characterization and qualification. For endurance

estimates in a specific application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained

from Microchip’s web site at www.microchip.com.

3: Includes THI time.

DS21836H-page 4

 2010 Microchip Technology Inc.

1 2 345 6 7...34

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与25AA1024TI/SM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
25AA1024T-I/SM	MICROCHIP	1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA1024T-I/SMG	MICROCHIP	128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8	获取价格
25AA128	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA128_09	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA128-E/MF	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA128-E/P	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格

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