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25AA1024T-I/MFG

更新时间： 2024-01-05 08:43:28

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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34页	537K
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128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8

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25AA1024T-I/MFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	5.28 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.03 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	5.21 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

25AA1024T-I/MFG 数据手册

25AA1024

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)

Industrial (I)*:

Industrial (I):

TA = 0°C to +85°C

TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.0V to 5.5V

AC CHARACTERISTICS

*Limited industrial temp range.

Param.

Sym.

No.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Conditions

TDIS

Output disable time

—

250

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

(Note 1)

THS

THH

THZ

HOLD setup time

HOLD hold time

100

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

100

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 5.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

HOLD low to output

High-Z

150

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 4.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

(Note 1)

THV

HOLD high to output valid

CS High to Standby mode

150

—

4.5 VCC 5.5

2.5 VCC 4.5

1.8  VCC <2.5 at 0°C to +85°C

2.0  VCC <2.5 at -40°C to +85°C

TREL

TPD

—

100

s

VCC = 1.8V to 5.5V

CS High to Deep power-

down

TCE

TSE

TWC

Chip erase cycle time

Sector erase cycle time

Internal write cycle time

—

VCC = 1.8V to 5.5V

Byte or Page mode and Page

Erase

—

Endurance

—

E/W (Note 2) Per Page

Cycles

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

2: This parameter is not tested but established by characterization and qualification. For endurance

estimates in a specific application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained

from Microchip’s web site at www.microchip.com.

3: Includes THI time.

DS21836G-page 4

 2010 Microchip Technology Inc.

1 2 345 6 7...34

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
25AA1024TI/P	MICROCHIP	1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	获取价格
25AA1024T-I/P	MICROCHIP	1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA1024TI/SM	MICROCHIP	1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8	获取价格
25AA1024T-I/SM	MICROCHIP	1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA1024T-I/SMG	MICROCHIP	128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8	获取价格
25AA128	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格

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