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25AA040AT-I/MC

更新时间： 2024-01-29 04:21:42

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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4K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA040AT-I/MC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	5.38	其他特性：	DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES
最大时钟频率 (fCLK)：	3 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

25AA040AT-I/MC 数据手册

25AA040A/25LC040A

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)

Industrial (I):

Automotive (E): TA = -40°C to +125°C

TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.5V to 5.5V

AC CHARACTERISTICS

Param.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Test Conditions

No.

THH

HOLD Hold Time

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V

2.5V ≤ VCC < 4.5V

1.8V ≤ VCC < 2.5V

THZ

THV

HOLD Low to Output

High-Z

160

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V (Note 1)

2.5V ≤ VCC < 4.5V (Note 1)

1.8V ≤ VCC < 2.5V (Note 1)

HOLD High to Output

Valid

160

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V

2.5V ≤ VCC < 4.5V

1.8V ≤ VCC < 2.5V

TWC

—

Internal Write Cycle Time

(byte or page)

—

(NOTE 3)

Endurance

—

E/W (NOTE 2)

Cycles

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific

application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from our web site:

www.microchip.com.

3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle

is complete.

TABLE 1-3:

AC Waveform:

VLO = 0.2V

AC TEST CONDITIONS

—

VHI = VCC - 0.2V

(Note 1)

(Note 2)

—

VHI = 4.0V

CL = 100 pF

Timing Measurement Reference Level

Input

0.5 VCC

Output

Note 1: For VCC ≤ 4.0V

2: For VCC ≥ 4.0V

DS21827D-page 4

1 2 345 6 7...28

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