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24LC08BT-I/STG

更新时间： 2024-02-24 14:39:03

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美国微芯 - MICROCHIP		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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26页	368K
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8K IC SERIAL EEPROM

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24LC08BT-I/STG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010XMMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

24LC08BT-I/STG 数据手册

24AA08/24LC08B

FIGURE 1-1: BUS TIMING DATA

SCL

SDA

OUT

FIGURE 1-2: BUS TIMING START/STOP

SCL

SDA

Start

Stop

DS21710D-page 4

1 2 345 6 7...26

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