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24C65-I/SM

更新时间: 2024-02-10 07:29:21
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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24页 285K
描述
64K 1.8V I2C Smart Serial O EEPROM

24C65-I/SM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.19
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:5.245 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.03 mm串行总线类型:I2C
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:5.23 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 msBase Number Matches:1

24C65-I/SM 数据手册

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24AA65/24LC65/24C65  
FIGURE 4-1:  
BYTE WRITE  
S
T
A
R
T
S
BUS ACTIVITY  
MASTER  
WORD  
ADDRESS (0)  
WORD  
ADDRESS (1)  
T
CONTROL  
BYTE  
DATA  
O
P
0 0 0  
S
SDA LINE  
P
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS ACTIVITY  
FIGURE 4-2:  
PAGE WRITE (FOR CACHE WRITE, SEE FIGURE 8-2)  
S
T
A
R
T
S
T
O
P
WORD  
ADDRESS (1)  
WORD  
ADDRESS (0)  
CONTROL  
BYTE  
BUS  
ACTIVITY  
MASTER  
DATA n  
DATA n + 7  
S
P
SDA LINE  
0 0 0  
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS  
ACTIVITY:  
FIGURE 4-3:  
CURRENT ADDRESS READ  
S
T
S
T
BUS ACTIVITY  
MASTER  
CONTROL  
BYTE  
A
R
T
DATA n  
O
P
SDA LINE  
S
P
A
C
K
N
O
BUS ACTIVITY  
A
C
K
2003 Microchip Technology Inc.  
DS21073J-page 7  

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