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24C65-E/P

更新时间： 2024-01-18 07:10:03

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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24页	285K
描述
64K 1.8V I2C Smart Serial O EEPROM

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24C65-E/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.19
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	5.245 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.03 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	5.23 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

24C65-E/P 数据手册

24AA65/24LC65/24C65

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS

VCC = 1.8V-6.0V VCC = 4.5-6.0V

STD. Mode FAST Mode

Parameter

Symbol

Units

Remarks

Min

Max

Min

Max

Clock frequency

FCLK

THIGH

TLOW

—

4000

4700

—

100

—

600

1300

—

400

—

kHz

Clock high time

Clock low time

—

SDA and SCL rise time

SDA and SCL fall time

Start condition setup time

1000

300

—

300

—

(Note 1)

—

(Note 1)

THD:STA 4000

600

After this period the first

clock pulse is generated

Start condition setup time

TSU:STA

4700

—

600

—

Only relevant for

repeated Start condition

Data input hold time

Data input setup time

Stop condition setup time

Output valid from clock

Bus free time

THD:DAT

TSU:DAT

TSU:STO

TAA

—

250

4000

—

100

600

—

3500

—

900

—

(Note 2)

TBUF

4700

1300

Time the bus must be

free before a new

transmission can start

Output fall time from VIH min to TOF

VIL max

—

250

—

20 + 0.1

250

—

(Note 1), CB ≤ 100 pF

Input filter spike suppression

(SDA and SCL pins)

TSP

(Note 3)

Write cycle time

TWR

—

ms/page (Note 4)

Endurance

High Endurance Block

Rest of Array

10M

—

10M

—

cycles 25°C, (Note 5)

Note 1: Not 100 percent tested. CB = total capacitance of one bus line in pF.

2: As a transmitter, the device must provide an internal minimum delay time to bridge the undefined region

(minimum 300 ns) of the falling edge of SCL to avoid unintended generation of Start or Stop conditions.

3: The combined TSP and VHYS specifications are due to new Schmitt Trigger inputs which provide improved

noise and spike suppression. This eliminates the need for a Ti specification for standard operation.

4: The times shown are for a single page of 8 bytes. Multiply by the number of pages loaded into the write

cache for total time.

5: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific

application, please consult the Total Endurance™ Model which can be downloaded at www.microchip.com.

FIGURE 1-2:

BUS TIMING DATA

THIGH

TLOW

THD:STA

SCL

TSU:STA

THD:DAT

TSU:DAT

TSU:STO

SDA

TSP

TBUF

TAA

SDA

OUT

DS21073J-page 4

 2003 Microchip Technology Inc.

1 2 345 6 7...24

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与24C65-E/P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
24C65-E/PG	MICROCHIP	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	获取价格
24C65-E/SM	MICROCHIP	64K 1.8V I2C Smart Serial O EEPROM	获取价格
24C65-E/SMG	MICROCHIP	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8	获取价格
24C65-EP	MICROCHIP	64K 5.0V I 2 C Smart Serial EEPROM	获取价格
24C65-ESM	MICROCHIP	64K 5.0V I 2 C Smart Serial EEPROM	获取价格
24C65I/P	MICROCHIP	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	获取价格

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