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23LC1024-E/ST

更新时间： 2024-02-16 00:22:37

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		时钟静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	522K
描述
128K X 8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8

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23LC1024-E/ST 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.7	最长访问时间：	32 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	16 MHz	I/O 类型：	COMMON/SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
反向引出线：	NO	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000012 A	最小待机电流：	2.5 V
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23LC1024-E/ST 数据手册

23A1024/23LC1024

1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface

Device Selection Table

Part

Number

Temp.

Ranges

Dual I/O

(SDI)

Quad I/O

(SQI)

Max. Clock

Frequency

VCC Range

Packages

23A1024

23LC1024

1.7-2.2V

2.5-5.5V

I, E

Yes

20 MHz⁽¹⁾

SN, ST, P

Note 1: 16 MHz for E-temp.

Features:

Description:

• SPI-Compatible Bus Interface:

- 20 MHz Clock rate

The Microchip Technology Inc. 23A1024/23LC1024

are 1 Mbit Serial SRAM devices. The memory is

accessed via a simple Serial Peripheral Interface (SPI)

compatible serial bus. The bus signals required are a

clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data

out (SO) lines. Access to the device is controlled

through a Chip Select (CS) input. Additionally, SDI

(Serial Dual Interface) and SQI (Serial Quad Interface)

is supported if your application needs faster data rates.

- SPI/SDI/SQI mode

• Low-Power CMOS Technology:

- Read Current: 3 mA at 5.5V, 20 MHz

- Standby Current: 4 A at +85°C

• Unlimited Read and Write Cycles

• Zero Write Time

This device also supports unlimited reads and writes to

the memory array.

• 128K x 8-bit Organization:

- 32-byte page

The 23A1024/23LC1024 is available in standard

packages including 8-lead SOIC, PDIP and advanced

8-lead TSSOP.

• Byte, Page and Sequential mode for Reads and

Writes

• High Reliability

• Temperature Ranges Supported:

Package Types (not to scale)

- Industrial (I):

-40C to +85C

-40C to +125C

- Automotive (E):

• RoHS Compliant

• 8 Lead SOIC, TSSOP and PDIP Packages

SOIC/TSSOP/PDIP

Pin Function Table

VCC

Name

Function

SO/SIO1

SIO2

HOLD/SIO3

SCK

Chip Select Input

SO/SIO1

SIO2

Serial Output/SDI/SQI Pin

SQI Pin

VSS

SI/SIO0

VSS

Ground

SI/SIO0

SCK

Serial Input/SDI/SQI Pin

Serial Clock

HOLD/SIO3 Hold/SQI Pin

Power Supply

VCC

 2012-2013 Microchip Technology Inc.

DS20005142B-page 1

12 3 4 5 6 7...32

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23LC1024-E/ST 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
23LC512T-I/ST	MICROCHIP	类似代替	512Kbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC512-I/ST	MICROCHIP	类似代替	512Kbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
23LC1024-E/ST/P	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024-I	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024-I/P	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024-I/SN	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024-I/SNVAO	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO8
23LC1024-I/ST/P	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024T-E/SN	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024T-E/SNVAO	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8
23LC1024T-E/ST/P	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface
23LC1024T-I/SN	MICROCHIP	获取价格	1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface

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