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23A512T-I-SN

更新时间： 2024-01-16 07:33:54

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储
页数	文件大小	规格书
16页	1075K
描述
A broad portfolio of high performance, best-in-class Serial Memory Products to meet all your design requirements.

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23A512T-I-SN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	9 weeks	风险等级：	5.5
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	TS 16949
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000004 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A512T-I-SN 数据手册

Serial Memory Advantages

Serial Memory Products

Outstanding Quality

Innovative Products

Reliable Supply

Serial EEPROM

Serial SRAM

■

SPI, I C™, Microwire, UNI O®Bus

SPI Bus, 20 MHz

Volatile Memory

8, 32 Kbytes

Non-Volatile Memory

128 bits-1Mbit

1.7V-5.5V

1.5V-1.95V; 2.7V-3.6V

■

1M Cycles E/W Endurance

Fast Read/Write Times

Low Power Consumption

Infinite Endurance

Zero Write Speeds

Low Power

Key Features

Key Beneﬁts

■

Serial architecture – I C, SPI, UNI O, Microwire

Broad range of densities

Lower system costs – innovative products, tiny packages,

low power consumption, fewer I O pins, small form factor

■

Save I O pins on the MCU – more compact designs, add

Tiny 3, 5, 6 and 8-pin packages, die & wafer

Innovative, low power designs

Industry leading endurance

Wide temperature and voltage range

Fast read and write times

additional features

■

Secure data with write-protect options

Highest quality EEPROMs

–

Zero PPM initiatives – Triple-test ﬂow

– >

1M cycles E/W endurance

Flexible:

■

Faster time to market

–

Byte write capability

–

Short lead times

Complete tools support

Package options

Custom programming options

Application-speciﬁc serial memory

Microchip owned fabs, In-house testing

Automotive ﬂow on all products

■

Robust designs – broad operating conditions

Long product life cycles

Global sales & engineering support

■

Serial EEPROM Bus Comparison

Parameter

I²C

Microwire

UNI/O

SPI

Density Range

128b-1 Mbit

1 Kb-16 Kb

1 Kb-16 Kbit

1Kb-1 Mbit

Speed

Up to 1 MHz

Up to 3 MHz

Up to 100 KHz

1: Clock/Data

Up to 20 MHz

I/O Pins

2: Clock, Data

4: Clock, CS, DI, DO

4: SCK, CS, DI, DO

PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP,

MSOP, 2x3 T-DFN, 6x5 DFN,

SOT-23, SC70, WLCSP

PDIP, SOIC, TSSOP,

MSOP, 2x3 T-DFN,

SOT-23

PDIP, SOIC, TSSOP,

MSOP, 2x3 T-DFN,

SOT-23, TO92, WLCSP

PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP,

MSOP, 2x3 T-DFN,

Package Options

6x5 DFN, SOT-23

Security Options

Pricing

HW, SW

Least Expensive

Most Expensive

Serial Memory Products

1 234 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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23A640-E/P	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
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