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23A256T-E/ST

更新时间： 2024-01-31 22:17:01

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
28页	542K
描述
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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23A256T-E/ST 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A256T-E/ST 数据手册

23X256

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(†)

Absolute Maximum Ratings

VCC.............................................................................................................................................................................4.5V

All inputs and outputs w.r.t. VSS ......................................................................................................... -0.3V to VCC +0.3V

Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C

Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C

ESD protection on all pins...........................................................................................................................................2kV

† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an

extended period of time may affect device reliability.

TABLE 1-1:

DC CHARACTERISTICS

Industrial (I):

Automotive (E): TA = -40°C to +125°C

TA = -40°C to +85°C

DC CHARACTERISTICS

Param.

No.

Sym.

Characteristic

Min.

Typ⁽¹⁾

Max. Units

Test Conditions

D001

D002

VCC

Supply voltage

1.5

2.7

—

1.95

3.6

23A256 (I-Temp)

VCC

VIH

23K256 (I,E-Temp)

High-level input

voltage

.7 VCC

VCC

+0.3

D003

D004

D005

D006

D007

D008

VIL

Low-level input

voltage

-0.3

—

0.2xVCC

VOL

Low-level output

voltage

0.2

IOL = 1 mA

VOH

ILI

High-level output

voltage

VCC -0.5

—

IOH = -400 A

Input leakage

current

±0.5

A

CS = VCC, VIN = VSS OR VCC

CS = VCC, VOUT = VSS OR VCC

ILO

Output leakage

current

—

ICC Read

—

mA FCLK = 1 MHz; SO = O

mA FCLK = 10 MHz; SO = O

mA FCLK = 20 MHz; SO = O

Operating current

Standby current

D009

ICCS

—

0.2

A CS = VCC = 1.8V, Inputs tied to VCC

or VSS

A CS = VCC = 3.6V, Inputs tied to VCC

or VSS

A CS = VCC = 3.6V, Inputs tied to VCC

or VSS @ 125°C

D010

D011

CINT

VDR

Input capacitance

pF VCC = 0V, f = 1 MHz, Ta = 25°C

(Note 1)

RAM data retention

voltage ⁽²⁾

—

1.2

—

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested. Typical measurements taken at room

temperature (25°C).

2: This is the limit to which VDD can be lowered without losing RAM data. This parameter is periodically

sampled and not 100% tested.

DS22100E-page 2

 2010 Microchip Technology Inc.

123 4 5 6 7...28

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23A256T-ISTT-I/ST	MICROCHIP	32K X 8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8	获取价格
23A-2M	APITECH	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 23000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE	获取价格

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