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23A256-IP-I/P

更新时间： 2024-01-18 03:07:58

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
28页	542K
描述
32K X 8 STANDARD SRAM, PDIP8, 0.300 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

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23A256-IP-I/P 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A256-IP-I/P 数据手册

23X256

TABLE 2-1:

INSTRUCTION SET

Instruction Name

READ

Instruction Format

Description

Read data from memory array beginning at selected address

Write data to memory array beginning at selected address

Read STATUS register

0000 0011

0000 0010

0000 0101

0000 0001

WRITE

RDSR

WRSR

Write STATUS register

FIGURE 2-1: BYTE READ SEQUENCE

9 10 11

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

SCK

Instruction

16-bit Address

1 15 14 13 12

Data Out

High-Impedance

FIGURE 2-2: BYTE WRITE SEQUENCE

9 10 11

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

Data Byte

SCK

Instruction

16-bit Address

15 14 13 12

High-Impedance

 2010 Microchip Technology Inc.

DS22100E-page 7

1...4 5 678 9 10...28

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