20MQ060NPBF

更新时间： 2024-02-14 21:58:27

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威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管高功率电源
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描述
Schottky Rectifier, 2.1 A

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20MQ060NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	应用：	HIGH POWER
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.57 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	40 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

20MQ060NPBF 数据手册

20MQ060NPbF

Vishay High Power Products

Schottky Rectifier, 2.1 A

FEATURES

• Small foot print, surface mountable

• Low forward voltage drop

• High frequency operation

RoHS

COMPLIANT

Cathode

Anode

• Guard ring for enhanced ruggedness and long term

reliability

SMA

• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)

• Designed and qualified for industrial level

DESCRIPTION

The 20MQ060NPbF surface mount Schottky rectifier has

been designed for applications requiring low forward drop

and very small foot prints on PC boards. Typical applications

are in disk drives, switching power supplies, converters,

freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery

protection.

PRODUCT SUMMARY

I_F(AV)

2.1 A

60 V

V_R

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

2.1

UNITS

Rectangular waveform

t_p= 5 µs sine

2 Apk, T_J= 125 °C

Range

V_F

0.68

T_J

- 55 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

20MQ060NPbF

UNITS

Maximum DC reverse voltage

V_R

Maximum working peak reverse voltage

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

See fig. 4

50 % duty cycle at T_C= 107 °C, rectangular waveform

On PC board 9 mm²island (0.013 mm thick copper pad area)

I_F(AV)

2.1

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

See fig. 6

Followingany rated load

condition and with rated

5 µs sine or 3 µs rect. pulse

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 1 A, L = 4 mH

_RRMapplied

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

2.0

1.0

Document Number: 94592

Revision: 24-Jul-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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