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20MQ100NTRPBF

更新时间： 2024-01-24 07:50:28
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
Schottky Rectifier, 2.1 A

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20MQ100NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.53其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：HIGH POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.91 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：100 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

20MQ100NTRPBF 数据手册

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20MQ100NPbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2.1 A  
FEATURES  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
RoHS  
COMPLIANT  
Cathode  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
SMA  
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)  
• Designed and qualified for industrial level  
DESCRIPTION  
The 20MQ100NPbF surface mount Schottky rectifier has  
been designed for applications requiring low forward drop  
and very small foot prints on PC boards. Typical applications  
are in disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2.1 A  
100 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
2.1  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 µs sine  
2 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
120  
A
VF  
0.72  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
20MQ100NPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 4  
50 % duty cycle at TC = 113 °C, rectangular waveform  
On PC board 9 mm2 island (0.013 mm thick copper pad area)  
IF(AV)  
2.1  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 6  
Followingany rated load  
condition and with rated  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
120  
30  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 A, L = 8 mH  
V
RRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
1.0  
0.5  
mJ  
A
Document Number: 94591  
Revision: 24-Jul-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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