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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS302TE85L
1SS302TE85L PDF预览

1SS302TE85L

更新时间： 2024-01-15 10:51:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 204K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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1SS302TE85L 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68二极管类型：RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：1

1SS302TE85L 数据手册

 浏览型号1SS302TE85L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS302TE85L的Datasheet PDF文件第3页 
1SS302  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS302  
Ultra High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
z Small package  
: SC-70  
: V  
z Low forward voltage  
= 0.90V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
JEDEC  
―
FSM  
P
100  
mW  
°C  
°C  
JEITA  
SC-70  
TOSHIBA  
1-2P1C  
Junction temperature  
T
j
125  
Weight: 0.006g (typ.)  
Storage temperature  
T
−55~125  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 0.7  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
I
I
V
V
= 30V  
= 80V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
Total capacitance  
C
―
―
V
= 0, f = 1MHz  
―
―
0.9  
1.6  
3.0  
4.0  
T
R
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
1
2007-11-01  
123

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1SS302TE85L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DAN217UT106 ROHM

功能相似

 Switching Diode
RB521G-30T2R ROHM

功能相似

 Schottky barrier diode RB521G-30

与1SS302TE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS302TE85LF TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Applications
1SS302TE85R,F TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS303 TYSEMI

获取价格

 		Low capacitance: Ct = 2.5 pF TYP. High speed switching: trr = 4.0 ns MAX.
1SS303 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE
1SS303 NEC

获取价格

 		SILICON SWITCHING DIODES
1SS303-A RENESAS

获取价格

 		0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS303-T1 NEC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
1SS303-T1-A RENESAS

获取价格

 		1SS303-T1-A
1SS303-T2 NEC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
1SS304 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE

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