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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS302TE85LF
1SS302TE85LF PDF预览

1SS302TE85LF

更新时间： 2024-01-04 16:48:34
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
3页 199K
描述
Ultra High Speed Switching Applications

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1SS302TE85LF 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68二极管类型：RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：1

1SS302TE85LF 数据手册

 浏览型号1SS302TE85LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS302TE85LF的Datasheet PDF文件第3页 
1SS302  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS302  
Ultra High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
z Small package  
: SC-70  
: V  
z Low forward voltage  
= 0.90V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
JEDEC  
―
FSM  
P
100  
mW  
°C  
°C  
JEITA  
SC-70  
TOSHIBA  
1-2P1C  
Junction temperature  
T
j
125  
Weight: 0.006g (typ.)  
Storage temperature  
T
−55~125  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 0.7  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
I
I
V
V
= 30V  
= 80V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
Total capacitance  
C
―
―
V
= 0, f = 1MHz  
―
―
0.9  
1.6  
3.0  
4.0  
T
R
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
1
2007-11-01  
123

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1SS302TE85LF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1SS302A,LF TOSHIBA

类似代替

 DIODE SW 80V 100MA USM SC70

与1SS302TE85LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS302TE85R,F TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS303 TYSEMI

获取价格

 		Low capacitance: Ct = 2.5 pF TYP. High speed switching: trr = 4.0 ns MAX.
1SS303 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE
1SS303 NEC

获取价格

 		SILICON SWITCHING DIODES
1SS303-A RENESAS

获取价格

 		0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS303-T1 NEC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
1SS303-T1-A RENESAS

获取价格

 		1SS303-T1-A
1SS303-T2 NEC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
1SS304 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE
1SS304 TYSEMI

获取价格

 		Low capacitance: Ct = 1.1 pF TYP. Wide applications including switching, limitter, clipper

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