是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 1.64 |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.1 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1SS302A,LF | TOSHIBA |
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DIODE SW 80V 100MA USM SC70 | |
1SS302A,LF(T | TOSHIBA |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | |
1SS302T5LFH | TOSHIBA |
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Ultra High Speed Switching Applications | |
1SS302TE85L | TOSHIBA |
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type | |
1SS302TE85LF | TOSHIBA |
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Ultra High Speed Switching Applications | |
1SS302TE85R,F | TOSHIBA |
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Rectifier Diode | |
1SS303 | TYSEMI |
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Low capacitance: Ct = 2.5 pF TYP. High speed switching: trr = 4.0 ns MAX. | |
1SS303 | KEXIN |
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HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE | |
1SS303 | NEC |
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SILICON SWITCHING DIODES | |
1SS303-A | RENESAS |
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0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |