1SS120TD-E

更新时间： 2024-01-06 03:17:09

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瑞萨 - RENESAS		整流二极管开关
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7页	257K
描述
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN

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1SS120TD-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-34
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.0035 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1SS120TD-E 数据手册

1SS120

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Unit

Item

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Average rectified current

Peak forward current

Symbol

Value

150

450

V_RM

V_R

I_O

I_FM

Non-Repetitive peak forward surge current I_FSM

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

250

175

−65 to +175

°C

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Test Condition

I_F= 10 mA

V_R= 60 V

V_R= 1 V, f = 1 MHz

I_F= 10 mA, V_R= 6 V, R_L= 50 Ω

Item

Symbol

V_F

I_R

Min

—

Typ

—

Max

0.8

0.1

3.0

3.5

Unit

µA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

Reverse recovery time

t_rr*

Note: Reverse recovery time test circuit

Supply

3 kΩ

0.1 µF

Pulse

Generator

Sampling

Oscilloscope

Ro = 50 Ω

Rin = 50 Ω

Trigger

Rev.4.00 Mar 24, 2005 page 2 of 4

1 2 345 6 7

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