1SS119TD

更新时间： 2024-02-09 16:15:49

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日立 - HITACHI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
6页	30K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34

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1SS119TD 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.5
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.0035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1SS119TD 数据手册

1SS119

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

450

150

°C

250

Junction temperature

Storage temperature

175

Tstg

–65 to +175

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

V_F

I_R

—

0.8

0.1

3.0

3.5

—

µA

V_R= 30V

—

V_R= 1V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr*

—

I_F= 10mA, V_R= 6V, R_L= 50Ω

Note: Reverse recovery time test circuit

Supply

3kΩ

0.1µF

Sampling

Oscilloscope

Ro = 50Ω Pulse

Rin = 50Ω

Generator

Trigger

123 4 5 6

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