1SS119TA

更新时间： 2024-02-05 04:02:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		二极管开关
页数	文件大小	规格书
5页	146K
描述
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1SS119TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.5
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.0035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1SS119TA 数据手册

1SS119

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Unit

Item

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Average rectified current

Peak forward current

Symbol

Value

150

450

V_RM

V_R

I_O

I_FM

Non-Repetitive peak forward surge current I_FSM

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

250

175

−65 to +175

°C

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Test Condition

I_F= 10 mA

V_R= 30 V

V_R= 1 V, f = 1 MHz

I_F= 10 mA, V_R= 6 V, R_L= 50 Ω

Item

Symbol

V_F

I_R

Min

—

Typ

—

Max

0.8

0.1

3.0

3.5

Unit

µA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

Reverse recovery time

t_rr*

Note: Reverse recovery time test circuit

Supply

3 kΩ

0.1 µF

Pulse

Generator

Sampling

Oscilloscope

Ro = 50 Ω

Rin = 50 Ω

Trigger

Rev.3.00 Mar 23, 2005 page 2 of 4

123 4 5

下载PDF

与1SS119TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS119TAX	RENESAS	0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34	获取价格
1SS119TD	HITACHI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34	获取价格
1SS119TD	RENESAS	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34	获取价格
1SS119TD-E	RENESAS	0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34	获取价格
1SS119TDX	HITACHI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34	获取价格
1SS119TDX	RENESAS	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34	获取价格