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1PS181

更新时间: 2024-09-23 22:10:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
High-speed double diode

1PS181 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-59包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.71配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.215 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向电流:0.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

1PS181 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
1PS181  
High-speed double diode  
1996 Sep 03  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  

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