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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.53 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 33 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 0.4 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1NH42TPA3 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1NH42TPB5 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1NK60Z | MICROSEMI | N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| 1NM50 | UTC | N-CH |
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| 1NM50-S | UTC | N-CH |
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| 1NM60 | UTC | N-CH |
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