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1N983B-TR

更新时间： 2024-09-24 14:29:47

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威世 - VISHAY		测试二极管
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5页	113K
描述
Zener Diode, 82V V(Z), 5%, 0.5W,

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1N983B-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.91
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	330 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	82 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	1.5 mA	Base Number Matches：	1

1N983B-TR 数据手册

1N957B to 1N984B

VISHAY

Vishay Semiconductors

Small Signal Zener Diodes

Features

• Very sharp reverse characteristic

• Siliconic Planar Power Zener Diodes.

• Very high stability

• Low reverse current level

• V_Z-tolerance 5 %

94 9367

Applications

Voltage stabilization

Mechanical Data

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 125 mg

Packaging codes/options:

TR / 10 k per 13 " reel, 30 k/box

TAP / 10 k per Ammo tape (52 mm tape), 30 k/box

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

amb

Test condition

Symbol

Value

Unit

Zener current table (see Table "

Characteristics ")

Power dissipation

tot

500

Valid provided that leads at a distance of 3/8 " from case kept at ambient temperature.

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Thermal resistance junction to

ambient air

°C/W

thJA

300

Junction temperature

175

°C

Storage temperature range

- 65 to + 175

Valid provided that leads at a distance of 3/8 " from case kept at ambient temperature.

Document Number 85590

Rev. 1.5, 16-Apr-04

www.vishay.com

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