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1N755A-1

更新时间: 2024-01-06 19:10:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 216K
描述
SILICON 400 mW ZENER DIODES

1N755A-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:6 Ω
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.48 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:7.5 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N755A-1 数据手册

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1N746 thru 1N759A, -1 and  
1N4370 thru 1N4372A, -1 DO-35  
Silicon 500 mW Zener Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
PACKAGE DIMENSIONS  
All dimensions in: INCH  
mm  
FIGURE 3  
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE  
(TYPICAL)  
Copyright 2003  
10-31-2003 REV B  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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