1N649

更新时间： 2024-10-02 22:49:19

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	173K
描述
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

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1N649 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.4 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N649 数据手册

1N645 to 649

Silicon Rectifier Diodes

DO-35 Glass Package

1N645-1 to 649-1

Use Advantages

Used as a general purpose rectifier in power supplies, or for clipping and

steering applications.

High performance alternative to small signal diodes where space does not

permit use of power rectifiers.

May be used in hostile environments where hermeticity and reliability are

important i.e. (Military and Aero/Space). MIL-S- 19500/ 240 approvals.

Available up to JANTXV-1 level.

"S" level screening capability to Source Control Drawings.

Features

DO -35 G lass Package

Six Sigma quality

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Humidity proof glass

Metallurgicallybonded

Thermally matched system

No thermal fatigue

High surge capability

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 m m

(M in.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Sigma Bond™ plated contacts

100% guaranteed solderability

(DO-213AA) SMD MELF commercial (LL) and MIL (UR-1) types available

Absolute Maximum Ratings

Symbol

P_tot

Value

600

Unit

mWatts

mAmps

^oC

Power Dissipation at 3/8" from the body, T_L= 75 ^oC

AverageForwardRectifiedCurrentatT_L= 75 ^oC

OperatingandStorageTemperatureRange

ThermalImpedance

I_AV

400

T_O&S

Z_qJX

-65 to 175

^oC/W

Detail Specifications

Breakdown

Voltage

(MIN.)

@ 100µA

(B_V)

Maximum

Average Rectified Current

_______________

Forward

Voltage

Drop

Maximum

Surge

Current Capacitance

Typical

Junction

Reverse

Voltage

Reverse Leakage Current

_______________

(I_R) @ V_R

(I_O)

(V_F) @ I_F= 400mA

(I_FSM

)

@ -12V

(C_O)

(V_R)

25° C

150° C (MIN.)

(MAX.) 25° C

100° C

(NOTE 1)

Type

Volts

Amps

Volts

µA

Amps

1N645,-1

1N646,-1

1N647,-1

1N648,-1

1N649,-1

225

300

400

500

600

275

360

480

600

720

0.4

0.15

1.0

0.2

Note 1: Surge Current @T_A= +25° C to +150° C, for 1 Second

For MELF DO-213AA surface mount package, replace "1N" prefix with "LL" for commercial.

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6490	NJSEMI	获取价格	DO-41 Package
1N6490	MICROSEMI	获取价格	1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
1N6490	CDI-DIODE	获取价格	1.5 WATT ZENER DIODES
1N6490	SUNMATE	获取价格	1.5W axial zener diode DO-41 5.1V series
1N6490	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
1N6490C	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.1V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS P
1N6490CUS	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.1V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2
1N6490D	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS P
1N6490DE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
1N6490DUS	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2

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