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1N649

更新时间: 2024-10-03 07:23:07
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NJSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
Si Rectifier

1N649 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.4 A
最大功率耗散:0.6 W最大重复峰值反向电压:600 V
Base Number Matches:1

1N649 数据手册

  

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