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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 1N6286/4F
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1N6286/4F

更新时间： 2024-01-10 13:31:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
7页 118K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 34.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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1N6286/4F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.27
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压：47.3 V
最小击穿电压：38.7 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：34.8 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

1N6286/4F 数据手册

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1.5KE6.8 thru 1.5KE540A, 1N6267 thru 1N6303  
Vishay General Semiconductor  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
75  
UNIT  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
Typical thermal resistance, junction to lead  
RθJA  
°C/W  
RθJL  
15.4  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED P/N  
1.5KE6.8A-E3/54  
1.5KE6.8AHE3/54 (1)  
UNIT WEIGHT (g)  
PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
0.968  
54  
54  
1400  
1400  
13" diameter paper tape and reel  
13" diameter paper tape and reel  
0.968  
Note:  
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES  
(T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
100  
10  
1
150  
TJ = 25 °C  
Pulse Width (td)  
is defined as the Point  
where the Peak Current  
decays to 50 % of IPPM  
tr = 10 µs  
Peak Value  
IPPM  
100  
50  
0
Half Value -  
IPP  
2
IPPM  
10/1000 µs Waveform  
as defined by R.E.A.  
td  
0.1  
0.1 µs  
1.0 µs  
10 µs  
100 µs  
1.0 ms  
10 ms  
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
t - Time (ms)  
td - Pulse Width (s)  
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve  
Figure 3. Pulse Waveform  
10000  
100  
Uni-Directional  
Bi-Directional  
75  
50  
VR = 0  
1000  
100  
10  
V
R = Rated  
Stand-Off Voltage  
25  
0
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150 175  
200  
5
10  
100  
500  
TJ - Initial Temperature (°C)  
VBR - Breakdown Voltage (V)  
Figure 2. Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature  
Figure 4. Typical Junction Capacitance  
Document Number: 88301  
Revision: 20-Sep-07  
www.vishay.com  
109  
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N6286/4F-E3 VISHAY DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su

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