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1N6281A/4E

更新时间： 2024-01-15 05:09:07

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威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	103K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 23.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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1N6281A/4E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.08
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	28.4 V
最小击穿电压：	25.7 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	23.1 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6281A/4E 数据手册

1.5KE6.8A thru 1.5KE540A, 1N6267A thru 1N6303A

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

THERMAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Typical thermal resistance, junction to ambient

Typical thermal resistance, junction to lead

R_JA

R_JL

15.4

°C/ W

ORDERING INFORMATION (Example)

PREFERRED PIN

1.5KE6.8A-E3/54

1.5KE6.8AHE3/54 ⁽¹⁾

UNIT WEIGHT (g)

PREFERRED PACKAGE CODE

BASE QUANTITY

DELIVERY MODE

0.968

1400

13" diameter paper tape and reel

0.968

Note

⁽¹⁾AEC-Q101 qualified

RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

100

150

T_J= 25 °C

Pulse Width (t_d)

is defined as the Point

where the Peak Current

decays to 50 % of I_PPM

t_r= 10 µs

Peak Value

I_PPM

100

Half Value -

I_PP

I_PPM

10/1000 µs Waveform

as defined by R.E.A.

t_d

0.1

0.1 µs

1.0 µs

10 µs

100 µs

1.0 ms

10 ms

1.0

3.0

4.0

2.0

t_d- Pulse Width (s)

t - Time (ms)

Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve

Fig. 3 - Pulse Waveform

100

10 000

Uni-Directional

Bi-Directional

V_R= 0

1000

100

_R= Rated

Stand-Off Voltage

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mVp-p

100

125

150 175

200

100

500

T_J- Initial Temperature (°C)

V_BR- Breakdown Voltage (V)

Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature

Fig. 4 - Typical Junction Capacitance

Revision: 14-Mar-12

Document Number: 88301

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N6281A/4F-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su	获取价格
1N6281A/4H-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su	获取价格
1N6281A/51-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su	获取价格
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