1N6277/93

更新时间： 2024-02-26 07:59:35

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威世 - VISHAY		二极管瞬态抑制器
页数	文件大小	规格书
7页	118K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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1N6277/93 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	7.48 V	最小击穿电压：	6.12 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	6.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	5.5 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6277/93 数据手册

1.5KE6.8 thru 1.5KE540A, 1N6267 thru 1N6303

Vishay General Semiconductor

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Typical thermal resistance, junction to ambient

Typical thermal resistance, junction to lead

R_θJA

°C/W

R_θJL

15.4

ORDERING INFORMATION (Example)

PREFERRED P/N

1.5KE6.8A-E3/54

1.5KE6.8AHE3/54 ⁽¹⁾

UNIT WEIGHT (g)

PREFERRED PACKAGE CODE

BASE QUANTITY

DELIVERY MODE

0.968

1400

13" diameter paper tape and reel

0.968

Note:

(1) Automotive grade AEC Q101 qualified

RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES

(T = 25 °C unless otherwise noted)

100

150

T_J= 25 °C

Pulse Width (t_d)

is defined as the Point

where the Peak Current

decays to 50 % of I_PPM

t_r= 10 µs

Peak Value

I_PPM

100

Half Value -

I_PP

I_PPM

10/1000 µs Waveform

as defined by R.E.A.

t_d

0.1

0.1 µs

1.0 µs

10 µs

100 µs

1.0 ms

10 ms

1.0

3.0

4.0

2.0

t - Time (ms)

t_d- Pulse Width (s)

Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve

Figure 3. Pulse Waveform

10000

100

Uni-Directional

Bi-Directional

V_R= 0

1000

100

_R= Rated

Stand-Off Voltage

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mVp-p

100

125

150 175

200

100

500

T_J- Initial Temperature (°C)

V_BR- Breakdown Voltage (V)

Figure 2. Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature

Figure 4. Typical Junction Capacitance

Document Number: 88301

Revision: 20-Sep-07

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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