5秒后页面跳转
1N6130A PDF预览

1N6130A

更新时间: 2024-02-09 18:57:20
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 417K
描述
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN

1N6130A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:E-LALF-W2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44Is Samacsys:N
最大击穿电压:105 V最小击穿电压:95 V
击穿电压标称值:100 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:138 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:E-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
最大重复峰值反向电压:76 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6130A 数据手册

 浏览型号1N6130A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N6130A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6130A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N6130A的Datasheet PDF文件第5页 

与1N6130A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6130A.TR SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon
1N6130AE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6130AS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6130AUS SENSITRON

获取价格

Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
1N6130AUS NJSEMI

获取价格

Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2-Pin SMD
1N6130AUS MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERME
1N6130AUS SEMTECH

获取价格

500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6130AUSE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 76V V(RWM), Bidirectional,
1N6130AUSS SENSITRON

获取价格

暂无描述
1N6130S SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,