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1N5620GP/60

更新时间： 2024-01-17 18:03:57

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	292K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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1N5620GP/60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.46	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	2 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5620GP/60 数据手册

1N5614GP thru 1N5622GP

Vishay General Semiconductor

TJ = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50mVp-p

TJ = 150 °C

TJ = 25 °C

0.1

0.01

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

Reverse Voltage (V)

Instantaneous Forward Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

TJ = 125 °C

T^J= 75 °C

0.1

T^J= 25 °C

0.01

100

Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-204AC (DO-15)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

0.140 (3.6)

0.104 (2.6)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

Document Number 88520

14-Oct-05

www.vishay.com

1 234

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