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1N5620GP/60

更新时间： 2024-01-11 10:55:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 292K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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1N5620GP/60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.46其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ACJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：2 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5620GP/60 数据手册

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1N5614GP thru 1N5622GP  
Vishay General Semiconductor  
Electrical Characteristics  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Test condition  
at 50 µA  
Symbol 1N5614GP 1N5616GP 1N5618GP 1N5620GP 1N5622GP  
Unit  
V
* Minimum reverse  
breakdown voltage  
VBR  
VF  
IR  
220  
440  
660  
880  
1100  
* Maximum instantaneous at 1.0 A  
forward voltage  
1.2  
V
* Maximum DC reverse  
current at rated DC  
blocking voltage  
TA = 25 °C  
0.5  
25  
µA  
TA =100°C  
* Maximum reverse  
recovery time  
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Irr = 0.25 A  
trr  
2.0  
25  
µs  
pF  
Maximum junction  
capacitance  
at 12 V, 1 MHz  
CJ  
45  
35  
20  
15  
Thermal Characteristics  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Typical thermal resistance (1)  
Notes:  
Symbol 1N5614GP 1N5616GP 1N5618GP 1N5620GP 1N522GP  
RθJA 45  
Unit  
°C/W  
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted  
*JEDEC registered values  
Ratings and Characteristics Curves  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
1.0  
0.75  
0.5  
50  
40  
30  
60 Hz  
Resistive or  
Inductive Load  
TJ = TJ max.  
8.3 ms Single Half Sine-Wave  
20  
10  
0.25  
0
0.375” (9.5 mm) Lead Length  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
1
10  
100  
Ambient Temperature, °C  
Number of Cycles at 60 Hz  
Figure 1. Forward Current Derating Curve  
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
www.vishay.com  
2
Document Number 88520  
14-Oct-05  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5620GP/60-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/62 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5620GP/62-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/65-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/71-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/72 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5620GP/72-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/73-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5620GP/92 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5620GP/92-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode

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