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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 2 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5620US | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN |
|
| JANTX1N5620US | MICROSEMI |
类似代替 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5620USS | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, |
|
| 1N5620V | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon |
|
| 1N5621 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
|
| 1N5621 | VISHAY |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER |
|
| 1N5621 | SENSITRON |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier |
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| 1N5621 | SEMTECH |
获取价格 |
RECTIFIER, up to 1kV, 2A, 150-500ns |
|
| 1N5621 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin Case G-2 |
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| 1N5621 | CENTRAL |
获取价格 |
1A,800V Through-Hole Rectifier-Fast Recovery <500ns Single |
|
| 1N5621A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin Case G-2 |
|
| 1N5621GP | VISHAY |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER |
|
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