1N5552

更新时间： 2024-02-08 16:44:17

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威世 - VISHAY		整流二极管
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2页	56K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

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1N5552 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	1 µA
最大反向恢复时间：	0.002 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5552 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 1N5550 THRU 1N5552

FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD

SURGE CURRENT

FIG. 1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

200

100

LEAD TEMPERATURE

L = 0.375" (9.5mm)

T =T max.

8.3ms SINGLE HALF

SINE-WAVE(JEDEC Method)

0.8 x 0.8 x .040"

(20 x 20 x 1mm)

COPPER

T , AMBIENT

TEMPERATURE

HEATSINKS

P.C.B. MOUNTED,

0.375" (9.5mm) LEAD LENGTH

RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

100 125 150 175 200

TEMPERATURE, °C

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 H_z

FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

FIG. 4 -TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

T =150°C

PULSE WIDTH=300µs

1% DUTY CYCLE

T =125°C

T =25°C

T =75°C

0.1

0.01

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE

VOLTAGE, %

INSTANTANEOUS FORWARD REVERSE VOLTAGE,

VOLTS

FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

100

T =25°C

f=1.0 MHz

Vsig=50mVp-p

100

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

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