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1N5475B

更新时间: 2024-02-27 08:19:29
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N5475B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.05
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:30 V
配置:SINGLE二极管电容容差:5%
最小二极管电容比:2.9标称二极管电容:82 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:225表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
变容二极管分类:ABRUPTBase Number Matches:1

1N5475B 数据手册

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