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1N5342AE3/TR13

更新时间: 2024-10-02 09:21:59
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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5页 318K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, DO-201AE,

1N5342AE3/TR13 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.36外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-201AE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W标称参考电压:6.8 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:10%
工作测试电流:175 mA

1N5342AE3/TR13 数据手册

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