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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N5267B-A
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1N5267B-A

更新时间： 2024-09-22 03:05:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 稳压二极管齐纳二极管测试
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3页 52K
描述
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

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1N5267B-A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.09
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：270 Ω
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：75 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：5%工作测试电流：1.7 mA
Base Number Matches：1

1N5267B-A 数据手册

 浏览型号1N5267B-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5267B-A的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: 1N5221B 1N5231B 1N5233B 1N5235B 1N5239B 1N5241B  
1N5221B - 1N5267B  
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE  
Features  
·
·
·
·
·
·
500mW Power Dissipation  
High Stability  
A
B
A
Surface Mount Equivalents Available  
Hermetic Package  
VZ - Tolerance ±5%  
C
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)  
D
DO-35  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
25.40  
¾
Max  
¾
·
·
·
·
·
Case: DO-35  
Case Material: Glass  
B
4.00  
0.60  
2.00  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
C
¾
Terminals: Finish - Sn96.5Ag3.5. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
D
¾
All Dimensions in mm  
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Marking: Type Number  
Weight: 0.13 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Symbol  
Pd  
Value  
500  
Unit  
mW  
°C/W  
V
RqJA  
300  
Forward Voltage  
@ IF = 200mA  
VF  
1.1  
Tj, TSTG  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +200  
Notes:  
1. Valid provided that leads are kept at TL £75°C with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75°C.  
2. EC Directive 2002/95/EC (RoHS) revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied where applicable,  
see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS18006 Rev. 15 - 2  
1 of 3  
1N5221B - 1N5267B  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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1N5267B-A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5267B-T DIODES

类似代替

 500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
NTE5046A NTE

类似代替

 Zener Diode, 1/2 Watt +-5% Tolerance

与1N5267B-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5267BAMO NXP

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 		暂无描述
1N5267B-AP MCC

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 		Zener Diode, 75V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PAC
1N5267BAR1 STMICROELECTRONICS

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 		75V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5267BAR2 STMICROELECTRONICS

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 		75V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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1N5267BBK CENTRAL

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 		Zener Diode, 75V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
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1N5267BD7E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 75V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
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 		DIODE 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH, GLASS, DO-35

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