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1N5263BD7

更新时间: 2024-11-27 06:19:39
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美高森美 - MICROSEMI /
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3页 101K
描述
Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

1N5263BD7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:1300 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:56 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:53.76 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:2.2 mA

1N5263BD7 数据手册

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