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1N5236B-TAP

更新时间： 2024-02-25 08:11:22

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威世 - VISHAY		二极管
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6页	95K
描述
Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.5W,

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1N5236B-TAP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	6.97
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e2
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5236B-TAP 数据手册

1N5221B to 1N5267B

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

100

P_tot= 500 mW

T_amb= 25 °C

T_j= 25 °C

0.1

0.01

0.001

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

V_F- Forward Voltage (V)

95 9607

95 9605

V_Z- Z-Voltage (V)

Fig. 7 - Forward Current vs. Forward Voltage

Fig. 9 - Z-Current vs. Z-Voltage

1000

100

I_Z= 1 mA

P_tot= 500 mW

T_amb= 25 °C

5 mA

10 mA

T_j= 25 °C

15 20

V_Z- Z-Voltage (V)

95 9606

V_Z- Z-Voltage (V)

95 9604

Fig. 8 - Z-Current vs. Z-Voltage

Fig. 10 - Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage

1000

t_p/T = 0.5

100

t_p/T = 0.2

Single Pulse

R_thJA= 300 K/W

T = T_{j max.}- T_amb

t_p/T = 0.01

t_p/T = 0.1

t_p/T = 0.02

t_p/T = 0.05

i_ZM= (- V_Z+ (V_Z²+ 4r_zjx T/Z_thp^1/2)/(2r_zj)

)

10^-1

10⁰

10¹

10²

95 9603

t_p- Pulse Length (ms)

Fig. 11 - Thermal Response

Rev. 2.0, 06-May-13

Document Number: 85588

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