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1N5228B

更新时间： 2024-01-23 03:55:31

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瑞萨 - RENESAS		稳压二极管测试
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6页	166K
描述
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation

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1N5228B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-213AA	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.13	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3.9 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

1N5228B 数据手册

1N5223B through 1N5258B

Electrical Characteristics (cont.)

(Ta = 25°C)

Zener Voltage

Test

Reverse Current

Test

Dynamic Resistance

Test

γ_Z(%/°C) *¹

V_F*²(V)

Max

1.1

Condition I_R(µA) Condition Z_ZT(Ω) Condition Z_ZK(Ω) Condition

Type No.

1N5251B

1N5252B

1N5253B

1N5254B

1N5255B

1N5256B

1N5257B

1N5258B

V_Z(V)

I_Z(mA)

5.6

Max

0.1

V_R(V)

Max

I_ZT(mA)

5.6

Max

600

700

I_ZK(mA)

0.25

Max

22 ± 5 (%)

24 ± 5 (%)

25 ± 5 (%)

27 ± 5 (%)

28 ± 5 (%)

30 ± 5 (%)

33 ± 5 (%)

36 ± 5 (%)

+0.087

+0.088

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

5.2

1.1

5.0

1.1

4.6

1.1

4.5

1.1

4.2

1.1

3.8

1.1

3.4

1.1

Notes: 1. 1N5223 to 1N5242: I_Z= 7.5 mA, 1N5243 to 1N5258: I_Z= I_Z,, Ta = 25°C to 125°C

2. Tested with DC, I_F= 200 mA

Rev.3.00 Aug 22, 2005 page 3 of 5

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