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1N4934-TP-HF

更新时间: 2024-02-24 17:06:00
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 518K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41,

1N4934-TP-HF 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.3
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL

1N4934-TP-HF 数据手册

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1N4933 thru 1N4937  
M C C  
TM  
Figure 1  
Typical Forward Characteristics  
Micro Commercial Components  
20  
Figure 2  
10  
6
Forward Derating Curve  
1.2  
1.0  
.8  
4
2
1
.6  
.4  
Amps  
.6  
.4  
.2  
Amps  
.2  
TJ = 25°C  
.1  
.06  
.04  
Single Phase, Half Wave  
60Hz Resistive or Inductive Load  
0
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
°C  
.02  
.01  
Average Forward Rectified Current - Amperesversus  
Ambient Temperature -°C  
.4  
.6  
1.4  
.8  
1.0  
1.2  
Volts  
Instantaneous Forward Current - Amperesversus  
Instantaneous Forward Voltage - Volts  
Figure 3  
Junction Capacitance  
100  
60  
40  
20  
TJ=25°C  
pF  
10  
6
4
2
1
400  
1000  
.1  
.2  
.4  
1
2
10 20  
200  
4
40  
100  
Volts  
Junction Capacitance - pFversus  
Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
2 of 4  

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