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1N4769

更新时间： 2024-02-22 09:24:41

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鲁光 - LGE		测试二极管
页数	文件大小	规格书
3页	1744K
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1N4769 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.41
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AA	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	9.1 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：	0.0455 mV/ °C	最大电压容差：	5%
Base Number Matches：	1

1N4769 数据手册

1N4728-1N4764

Zener Diodes

Ratings AND Charactieristic Curves

FIG.1 -- BREAKDOWN CHARACTERISTICS

30 V

100

FIG.2 -- ADMISSIBLE POWER DISSIPATION VERSUS AMBIENT TEMPERATURE

1.0

0.8

P^tot

0.6

0.4

0.2

℃

100

200

Tamb

CARTON

SPQ/PCS

CARTON

SIZE/CM

CARTON

GW/KG

CARTON

NW/KG

PACKAGE

DO-41

SPQ/PCS

5000/AMMO

50000

42X28X31

14.00

12.00

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1N4769A	MICROSEMI	9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	获取价格
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