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1N4769

更新时间： 2024-02-11 11:45:14
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鲁光 - LGE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 1744K
描述
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1N4769 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-7
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.41
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204AAJESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.25 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：9.1 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：0.0455 mV/ °C最大电压容差：5%
Base Number Matches：1

1N4769 数据手册

 浏览型号1N4769的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N4769的Datasheet PDF文件第3页 
1N4728-1N4764  
Zener Diodes  
(TA=25  
)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Max surge  
current  
8.3ms  
Maximum  
Nominal  
Test  
Maximum reverse  
leakage current  
Maximum dynamic impedance  
regulator  
zener  
current  
IZT  
current 2)  
voltage 1)  
Type  
IR@Tamb  
=25  
IZM @Tamb  
=50  
Vz@IZT  
ZZT@I  
ZZK@IZK  
IZK  
IR  
@VR  
ZT  
(mA)  
(V)  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
62  
68  
75  
82  
91  
100  
(mA)  
76  
69  
64  
58  
53  
49  
45  
41  
37  
34  
31  
28  
25  
23  
21  
19  
(Ω)  
10  
10  
9
9
8
7
5
2
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
7
(Ω)  
400  
400  
400  
400  
500  
550  
600  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
750  
750  
750  
750  
750  
1000  
1000  
1000  
1000  
1500  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
2000  
3000  
3000  
3000  
(μA)  
100  
100  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
(V)  
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6  
8.4  
9.1  
9.9  
11.4  
12.2  
13.7  
15.2  
16.7  
18.2  
20.6  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
35.8  
38.8  
42.6  
47.1  
51.7  
56.0  
62.2  
69.2  
79.0  
(mA)  
1380  
1260  
1190  
1070  
970  
890  
810  
730  
660  
605  
550  
500  
454  
414  
380  
344  
304  
285  
250  
225  
205  
190  
170  
150  
135  
125  
115  
110  
95  
(mA)  
276  
252  
234  
217  
193  
178  
462  
146  
133  
121  
110  
100  
91  
83  
76  
69  
61  
57  
50  
45  
41  
38  
34  
30  
27  
25  
23  
22  
19  
18  
16  
14  
13  
12  
11  
10  
9
1N4728  
1N4729  
1N4730  
1N4731  
1N4732  
1N4733  
1N4734  
1N4735  
1N4736  
1N4737  
1N4738  
1N4739  
1N4740  
1N4741  
1N4742  
1N4743  
1N4744  
1N4745  
1N4746  
1N4747  
1N4748  
1N4749  
1N4750  
1N4751  
1N4752  
1N4753  
1N4754  
1N4755  
1N4756  
1N4757  
1N4758  
1N4759  
1N4760  
1N4761  
1N4762  
1N4763  
1N4764  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
8
9
10  
14  
16  
20  
22  
23  
25  
35  
40  
45  
50  
60  
70  
80  
95  
110  
125  
150  
175  
200  
250  
350  
17  
15.5  
14  
12.5  
11.5  
10.5  
9.5  
8.5  
7.5  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.7  
3.3  
3.0  
2.8  
2.5  
90  
80  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
1)Based on dc_measurement at theral equilibrium while maitaining the lead temperature (TL) at 30 +1 ,9.5mm(3/8")f rom the Diode body .  
2)Valid prov ided that electrodes at a distance of 10 mm f orm case kept at ambient temperature.  
*)Additionnal measurement of v oltage gruup 9v 1 to 75 at 95% VZMIN  
35nA at TJ25  
http://www.lgesemi.com  
mail:lge@lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
123

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