1N4756

更新时间： 2024-02-17 16:31:22

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描述
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

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1N4756 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.56
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	80 Ω	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	标称参考电压：	47 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	10%
工作测试电流：	5.5 mA	Base Number Matches：	1

1N4756 数据手册

1N4728 THRU 1N4764

SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

Features

Silicon Planar Power Zener Diodes

for use in stabilizing and clipping circuits with high power

rating. Standard Zener voltage tolerance is

10%. Add

suffix A for

5% tolerance. Other tolerances available

upon request.

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.169

0.110

0.031

Min.

Max.

4.3

2.8

0.8

1.102

28.0

Absolute Maximum Ratings (T_a=25

)

Symbols

Values

Units

Zener current see Table "Characteristics"

Power dissipation at T_amb=25

Junction temperature

P_tot

T_j

200

Storage temperature range

T_S

-65 to +200

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

Characteristics ^atT_amb=25

Symbols

R_thA

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal resistance

170

1.2

K/W

junction to ambient Air

Forward voltage at I_F=200mA

V_F

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

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